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- AE/AER 系列 — 離子束刻蝕 / 反應離子束刻蝕 (IBE/RIBE)
- AE/AER 系列 — 離子束刻蝕 / 反應離子束刻蝕 (IBE/RIBE)
AE/AER 系列 — 離子束刻蝕 / 反應離子束刻蝕 (IBE/RIBE)
產品介紹
AE/AER 系列離子束刻蝕(IBE)與反應離子束刻蝕(RIBE)系統,利用高能量、準直的離子束在真空中對材料表面進行物理或化學刻蝕。可對幾乎任何材料實現高精度、高選擇比、均勻且可控的刻蝕,適用於多種科研與生產需求。
特點與優勢
-
可針對 4″、6″、8″ 晶圓及特殊樣品形貌進行定制
-
實現斜角結構、傾斜槽結構等多樣形貌
-
準直離子束實現各向異性刻蝕
-
支援物理、化學及增強化學等多種刻蝕模式
-
入射角度、離子束流、能量、旋轉速度等可獨立控制
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應用於終極拋光,獲得光滑整潔的表面結構
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全自動控制界面、觸控顯示屏、操作簡便
可選配置
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Load-Lock 晶圓傳輸
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He 背面冷卻
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OES/SIMS 等離子終點檢測
適用材料
幾乎所有已知材料,包括介電材料、矽基材料、金屬、DLC 等。
應用領域
廣泛應用於半導體、光電、新能源、新材料、MEMS 製造、精密光學等領域。
產品介紹
AE/AER 系列離子束刻蝕(IBE)與反應離子束刻蝕(RIBE)系統,利用高能量、準直的離子束在真空中對材料表面進行物理或化學刻蝕。可對幾乎任何材料實現高精度、高選擇比、均勻且可控的刻蝕,適用於多種科研與生產需求。
特點與優勢
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可針對 4″、6″、8″ 晶圓及特殊樣品形貌進行定制
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實現斜角結構、傾斜槽結構等多樣形貌
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準直離子束實現各向異性刻蝕
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支援物理、化學及增強化學等多種刻蝕模式
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入射角度、離子束流、能量、旋轉速度等可獨立控制
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應用於終極拋光,獲得光滑整潔的表面結構
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全自動控制界面、觸控顯示屏、操作簡便
可選配置
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Load-Lock 晶圓傳輸
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He 背面冷卻
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OES/SIMS 等離子終點檢測
適用材料
幾乎所有已知材料,包括介電材料、矽基材料、金屬、DLC 等。
應用領域
廣泛應用於半導體、光電、新能源、新材料、MEMS 製造、精密光學等領域。