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AE/AER 系列 — 離子束刻蝕 / 反應離子束刻蝕 (IBE/RIBE)

產品介紹
AE/AER 系列離子束刻蝕(IBE)與反應離子束刻蝕(RIBE)系統,利用高能量、準直的離子束在真空中對材料表面進行物理或化學刻蝕。可對幾乎任何材料實現高精度、高選擇比、均勻且可控的刻蝕,適用於多種科研與生產需求。

特點與優勢

  • 可針對 4″、6″、8″ 晶圓及特殊樣品形貌進行定制

  • 實現斜角結構、傾斜槽結構等多樣形貌

  • 準直離子束實現各向異性刻蝕

  • 支援物理、化學及增強化學等多種刻蝕模式

  • 入射角度、離子束流、能量、旋轉速度等可獨立控制

  • 應用於終極拋光,獲得光滑整潔的表面結構

  • 全自動控制界面、觸控顯示屏、操作簡便

可選配置

  • Load-Lock 晶圓傳輸

  • He 背面冷卻

  • OES/SIMS 等離子終點檢測

適用材料
幾乎所有已知材料,包括介電材料、矽基材料、金屬、DLC 等。

應用領域
廣泛應用於半導體、光電、新能源、新材料、MEMS 製造、精密光學等領域。

產品介紹
AE/AER 系列離子束刻蝕(IBE)與反應離子束刻蝕(RIBE)系統,利用高能量、準直的離子束在真空中對材料表面進行物理或化學刻蝕。可對幾乎任何材料實現高精度、高選擇比、均勻且可控的刻蝕,適用於多種科研與生產需求。

特點與優勢

  • 可針對 4″、6″、8″ 晶圓及特殊樣品形貌進行定制

  • 實現斜角結構、傾斜槽結構等多樣形貌

  • 準直離子束實現各向異性刻蝕

  • 支援物理、化學及增強化學等多種刻蝕模式

  • 入射角度、離子束流、能量、旋轉速度等可獨立控制

  • 應用於終極拋光,獲得光滑整潔的表面結構

  • 全自動控制界面、觸控顯示屏、操作簡便

可選配置

  • Load-Lock 晶圓傳輸

  • He 背面冷卻

  • OES/SIMS 等離子終點檢測

適用材料
幾乎所有已知材料,包括介電材料、矽基材料、金屬、DLC 等。

應用領域
廣泛應用於半導體、光電、新能源、新材料、MEMS 製造、精密光學等領域。