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IG20


 

 

用於超高真空表面分析的5keV氬或氧離子源

 

IG20具有高亮度的電子衝擊氣體離子源,專門為氧氣能力而設計,但也適用於惰性氣體和其他氣體。


 

 

概述

IG20被設計為SIMS、Auger和XPS應用于成像和深度剖析的主要離子束,然而,內部產生的光柵掃描和廣泛的指令引數使其適合於樣品清潔和表面科學實驗。兩個用戶可切換的燈絲確保了在燈絲爆裂的情況下繼續工作--可以在用戶方便的時候更換。

 


 

 

 

產品特色

 

 

強烈的離子束,光斑大小為100微米,能量為0.5 - 5 keV

 

  高電流密度,高達4.5 mA/cm2
 

  具有氬氣和氧氣功能的電子衝擊離子源
 

  用於深度剖析中的線散射和光束光柵的轉向光學裝置
 

  離子槍柱中的3°偏移,以實現對中性物質的最佳排斥
 

  光束消隱設施,用於在光柵應用中快速切換光束
 

  源頭差分泵送,減少腔體氣體負荷
 

  易於更換的雙燈絲元件
 

  掃描速率低至64微秒
 

  與SIM和EQS探頭集成操作,直接控制光柵速率/面積
       

 

 

下載

 
    演講稿:  
  Hiden SIMS | 分析性二次離子質譜產品  
   
客戶案例:
 
  AP0811 - 在Mo箔上開發CdS/CdTe襯底太陽能電池的挑戰和前景  
  AP0128 - 通過新的離子束植入技術形成氮化鎂相  
   
 

相關產品

 
  EQS  
  IG5C  
  SIMS Workstation  
       
       
       
   

 

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IG20具有高亮度的電子衝擊氣體離子源,專門為氧氣能力而設計,但也適用於惰性氣體和其他氣體。

 

 

概述

IG20被設計為SIMS、Auger和XPS應用于成像和深度剖析的主要離子束,然而,內部產生的光柵掃描和廣泛的指令引數使其適合於樣品清潔和表面科學實驗。兩個用戶可切換的燈絲確保了在燈絲爆裂的情況下繼續工作--可以在用戶方便的時候更換。

 

 

產品特色

 

強烈的離子束,光斑大小為100微米,能量為0.5 - 5 keV

 

高電流密度,高達4.5 mA/cm2

 

具有氬氣和氧氣功能的電子衝擊離子源

 

用於深度剖析中的線散射和光束光柵的轉向光學裝置

 

離子槍柱中的3°偏移,以實現對中性物質的最佳排斥

 

光束消隱設施,用於在光柵應用中快速切換光束

 

源頭差分泵送,減少腔體氣體負荷

 

易於更換的雙燈絲元件

 

掃描速率低至64微秒

 

與SIM和EQS探頭集成操作,直接控制光柵速率/面積

     

 

 

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