用於薄膜深度剖析的超高壓表面分析系統

Hiden Analytical公司為高性能的動態和靜態SIMS（二次離子質譜）分析提供了極為通用的高靈敏度儀器，在尖端應用中開啟了新的精確水準。SIMS工作站具有擴展的範圍，能夠獲取和識別正(+ve)和負(-ve)二次離子，是成分分析和深度剖析應用的全面解決方案。

對於同時進行+ve和-ve離子分析的綜合SIMS套裝軟體，Hiden Analytical公司還開發了創新的Hi5 SIMS工作站。在我們下面的產品資料中可以找到更多資訊。

概述

二次離子質譜法，或稱SIMS，是有史以來開發的最敏感的技術之一，用於詢問材料的最上層，從幾百納米（nm）到一個原子層的深度。它可以獲得低至十億分之一（ppb）範圍的成分資料，並且與任何可以在真空條件下可靠測試的材料相容。因此，SIMS儀器經常被用來分析陶瓷、金屬、有機材料、聚合物、半導體等等。

這種技術被分解成兩種不同的方法：動態和靜態SIMS。每種方法都使用一個初級離子束，在真空條件下撞擊樣品，導致極小體積的材料從表面燒蝕--這種噴出的材料中的一部分將被電離。這些二次離子被質譜單元的樣品入口所獲取，以形成對試樣最上層的成分的有力瞭解。

動態和靜態SIMS的主要區別是離子劑量（動態SIMS儀器的劑量較高），而且動態SIMS不能用失焦的離子束運行；它必須在樣品表面進行光柵掃描，以產生一個平底坑。Hiden Analytical公司的SIMS工作站可以在一台合併的SIMS儀器中同時進行動態和靜態SIMS分析。通過雙模式的MAXIM質譜儀，SIMS工作站可以在二級離子檢測模式下進行+ve/-ve離子檢測，以及在二級中性檢測模式下進行+ve資料量化。每種模式都與品質範圍選項相容，最高可達5000原子品質單位（amu）。

Hiden Analytical公司的SIMS工作站

我們的SIMS工作站是一個全面的解決方案，用於表面分析、薄膜工程、納米技術、燃料電池研究等各個領域的樣品深度剖析和成分分析。該系統是高度可定制的，以適應複雜領域用戶的獨特要求。

如何分析材料的頂部納米層

如果你需要更多關於進行靜態或動態SIMS分析的資訊，請流覽我們的產品資料和介紹。
如果想更詳細地瞭解我們的SIMS工作站的特點，只需今天聯繫Hiden Analytical團隊的成員。

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