創新的飛行時間四極杆SIMS系統

Hiden TOF-qSIMS系統是為廣泛的材料的表面分析和深度剖析應用而設計的，包括聚合物、藥品、超導體、半導體、合金、光學和功能塗層以及電介質，測量的微量成分可達到sub-ppm水準。

概述

新的Hiden TOF，飛行時間分析儀增強了SIMS，為用戶提供了高性能四極SIMS的最佳動態範圍，以及飛行時間SIMS的平行資料收集和分子碎片分析的優勢，TOF-SIMS。

TOF-qSIMS的能力使高光譜成像能夠進行空間解析度的詳細材料分析。

TOF-qSIMS系統提供了靜態TOF-SIMS的綜合能力，以及四極SIMS的高動態範圍深度分析。

TOF-qSIMS工作站系統完全集成並優化了高性能的SIMS分析，包括一個多孔超高壓室、TOF-SIMS分析儀、Hiden的MAXIM四極SIMS分析儀、IG20氣體主離子槍、Cs金屬離子槍和一個為適應最廣泛樣品範圍而設計的樣品支架。 高靈敏度的SNMS模式包括對冶金薄膜、導電和非導電氧化物以及其他合金材料和塗層的定量分析。SIMS增強設施，包括氧淹沒、電子電荷中和和真空烘烤，都是標準配置。

SIMS Mapper PC軟體選項提供了對樣品區域的二維和三維視圖的映射能力。電子門控包括優化的高動態範圍深度剖析。TOF SIMS分析能力包括全光譜分析，對整個樣品圖像進行逐個圖元的分析。

SIMS PC資料系統，MASsoft Professional，包括一個簡單的使用者可配置的控制和資料獲取介面，包括為表面分析和深度剖面應用設置和控制一次離子束光柵。

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